(相关资料图)

总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的垂直GaN半导体制造商NexGenPowerSystems宣布，其与通用汽车的合作项目已获得美国能源部(DoE)的资助，用于开发使用NexGen垂直GaN半导体的电力驱动系统。

该联合开发项目旨在提高电动汽车的效率、性能和整体可持续性，并拟将重点放在电力电子设计、电机集成、热管理和电驱动系统的系统级优化上。

NexGen首席执行官ShahinSharifzadeh表示：“我们很高兴能源部授予我们机会，与通用汽车等领先汽车制造商一起开发基于GaN的电力驱动系统。”“此次合作将帮助我们将基于垂直GaN的逆变器驱动系统引入电动汽车市场，并将帮助汽车制造商提高续航里程、减轻重量并提高系统可靠性。”

该公告基于NexGen于2023年2月发布的有关提供700V和1200V半导体工程样品的公告。

NexGen的当前一代1200V、1Ohm、垂直GaNe-modeFin-jFET已成功演示了在1.4kV额定电压下>1MHz的开关速度，这使得NexGen器件对于电动汽车市场的持续性能、可靠性和效率提升非常重要。